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分立半导体
SIHS36N50D-E3参考图片

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SIHS36N50D-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs Super-247
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库存:1,572(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥53.7089
53.7089
10
¥48.4092
484.092
25
¥44.1039
1102.5975
100
¥39.7986
3979.86
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
36 A
Rds On-漏源导通电阻
130 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
83 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
446 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
D
宽度
5.31 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
68 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
89 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
79 ns
典型接通延迟时间
33 ns
零件号别名
SIHS36N50D
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,SIHS36N50D-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥53.788
10:¥47.9459
25:¥43.1886
50:¥41.2676
参考库存:23719
分立半导体
IGBT 模块 1200V 75A IGBT
60:¥901.1072
参考库存:23722
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 Switching
100:¥176.8902
250:¥162.3584
500:¥154.5275
参考库存:23725
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥46.9515
10:¥41.8778
25:¥37.7307
50:¥36.0357
参考库存:23728
分立半导体
IGBT 模块 1200V 400A Dual
60:¥1,287.9175
参考库存:23731
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