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分立半导体
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STGWA80H65FB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
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数量单价合计
1
¥63.0879
63.0879
10
¥57.0198
570.198
25
¥54.3982
1359.955
100
¥47.1775
4717.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
469 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA80H65FB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CDLL4709/TR
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CDLL4714/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥26.3516
271:¥26.3516
500:¥23.6622
1,000:¥19.8993
2,500:¥18.984
参考库存:29402
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