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分立半导体
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CG2H30070F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.0GHz, 60 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
12.4 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
12 A
输出功率
70 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440224
封装
Tray
工作频率
0.5 GHz to 3 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
开发套件
CG2H30070F-TB1
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
优势价格，CG2H30070F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRF9640PBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET
1:¥13.221
10:¥10.9158
100:¥8.3733
参考库存:3226
CPH3462-TL-W
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NCH 1A 100V 500MOHMS CPH3
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:9130
NJL1302DG
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNPBIP PWR THERM TRK PPD
1:¥36.6572
10:¥31.1202
100:¥27.0522
250:¥25.6623
参考库存:2307
MBRF40250TG
ON Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40A 250V
1:¥15.2098
10:¥12.9046
100:¥10.3734
500:¥9.0626
参考库存:3413
FDD6N50FTM
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 500V N-Channel
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.9099
500:¥5.2206
2,500:¥3.6612
10,000:查看
参考库存:4183
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