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分立半导体
STH270N4F3-6参考图片

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STH270N4F3-6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 1.40 mOhm STripFET III 180A
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数量单价合计
1
¥39.6517
39.6517
10
¥33.6514
336.514
100
¥29.1992
2919.92
250
¥27.6624
6915.6
1,000
¥20.9728
20972.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
1.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
110 nC
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STH270N4F3-6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
180 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格，STH270N4F3-6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SISS23DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥6.6896
10:¥5.3675
100:¥4.068
500:¥3.3674
3,000:¥3.3674
参考库存:39370
DMP2104V-7
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET -20V -860mA
1:¥3.2318
10:¥2.5086
100:¥1.356
1,000:¥1.02152
3,000:¥0.87575
9,000:¥0.82264
参考库存:5927
SI7772DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥6.2263
10:¥5.0285
100:¥3.8194
500:¥3.1527
3,000:¥3.1527
参考库存:8313
SPD09P06PL G
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET P-Ch -60V 9.7A DPAK-2
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.3391
参考库存:7955
BD136
STMicroelectronics
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Audio Amplfier
1:¥3.6838
10:¥2.8476
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
参考库存:6621
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