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分立半导体
STGWT40V60DLF参考图片

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STGWT40V60DLF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
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库存:52,614(价格仅供参考)
数量单价合计
600
¥19.7524
11851.44
1,200
¥16.6788
20014.56
3,000
¥15.8313
47493.9
5,400
¥15.2098
82132.92
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT40V60DLF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,STGWT40V60DLF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 2.0A 1000V
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:3779
分立半导体
MOSFET RAIL MOSFET
1:¥5.763
10:¥4.746
100:¥3.0623
800:¥2.4521
2,400:¥2.0679
参考库存:3672
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
1:¥0.99892
10:¥0.88366
100:¥0.31527
1,000:¥0.20792
10,000:¥0.13786
20,000:查看
参考库存:19204
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:18138
分立半导体
稳压二极管 3.6V 200mW
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:5712
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