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分立半导体
CGHV40320D-GP4参考图片

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CGHV40320D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
-
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
-
Id-连续漏极电流
-
输出功率
320 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
应用
-
配置
-
高度
100 um
长度
-
工作频率
4 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
-
商标
Wolfspeed / Cree
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
-
商品其它信息
优势价格，CGHV40320D-GP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZT52B68-G3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 68 Volt 0.5W 2%
1:¥2.9154
10:¥1.9097
100:¥0.9379
500:¥0.79891
3,000:¥0.47686
6,000:查看
参考库存:28043
ACX143ZUQ-13R
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor SOT363 T&R 10K
1:¥2.6894
10:¥1.8645
100:¥0.77631
1,000:¥0.52997
10,000:¥0.35369
20,000:查看
参考库存:28046
BCP5110TA
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
10,000:¥0.5989
25,000:¥0.56048
参考库存:28049
MMSZ5266C-G3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 68 Volt 0.5W 2%
1:¥2.9154
10:¥1.9097
100:¥0.9379
500:¥0.79891
10,000:¥0.35369
20,000:查看
参考库存:28052
BZX85C3V6-TR
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 3.6 Volt 1.3 Watt 5%
1:¥2.9945
10:¥2.0001
100:¥0.97632
500:¥0.83733
5,000:¥0.43053
10,000:查看
参考库存:28055
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