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分立半导体
TGF2819-FL参考图片

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TGF2819-FL

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
14 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.9 V
Id-连续漏极电流
7.32 A
输出功率
100 W
最大漏极/栅极电压
145 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
86 W
安装风格
Screw Mount
封装
Tray
配置
Single
工作频率
3.5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
开发套件
TGF2819-FS/FL, EVAL BOARD
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1118709 772-TGF2819-FS-EVB1
商品其它信息
优势价格,TGF2819-FL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双向可控硅 Altnstr 400V 25A Iso 80-80-80 mA
1:¥48.1832
10:¥48.1041
25:¥48.025
100:¥42.6462
参考库存:3119
分立半导体
桥式整流器 200 Volt 6.0 Amp 180 Amp IFSM
1:¥15.7522
10:¥13.0628
100:¥10.1474
500:¥8.8366
1,000:¥7.3563
参考库存:3275
分立半导体
整流器 200 Volt 70 Amp
1:¥107.7342
10:¥97.8919
20:¥90.5921
50:¥85.6766
参考库存:3040
分立半导体
稳压二极管 18 Volt 500mW 5%
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥1.02943
1,000:¥0.34578
2,500:¥0.28476
参考库存:11344
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SBD DUAL PARALLEL 1A 30V
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:4927
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