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分立半导体
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STGWA25M120DF3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
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库存:51,830(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥73.0771
73.0771
10
¥66.0824
660.824
25
¥63.0088
1575.22
100
¥54.7146
5471.46
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA25M120DF3
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
25 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGWA25M120DF3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
1,500:¥6.9043
3,000:¥6.4071
6,000:¥6.1811
10,500:¥5.7065
参考库存:28052
分立半导体
MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥7.2998
10:¥5.8421
100:¥4.4296
500:¥3.6612
参考库存:28055
分立半导体
整流器 1A, 1000V, MINI-PLASTIC RECT.
22,000:¥0.63732
27,500:¥0.59212
参考库存:28058
分立半导体
SCR Thyristors - TO-118 COMP RND-e3
6:¥1,625.3242
12:¥1,584.9832
30:¥1,562.6996
参考库存:28061
分立半导体
稳压二极管
271:¥26.3516
500:¥23.6622
1,000:¥19.8993
2,500:¥18.984
参考库存:28064
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