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分立半导体
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CGH35240F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 3.1-3.5GHz, 240 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
11.6 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
24 A
输出功率
240 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440201
封装
Tray
应用
-
配置
Single
高度
3.76 mm
长度
24.33 mm
工作频率
3.1 GHz to 3.5 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
23.62 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
CGH35240F-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGH35240F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MBRF1645 C0
Taiwan Semiconductor
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肖特基二极管与整流器 16 Amp 45 Volt Single
2,000:¥4.3731
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S15GLW RQG
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20,000:¥0.43053
50,000:¥0.3842
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DBL157G C1G
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桥式整流器 1.5A,1000V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.BRIDGE RECT.
5,000:¥1.4238
参考库存:28011
SS22LHR2G
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15,000:¥0.5537
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45,000:¥0.47686
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KBL601G T0
Taiwan Semiconductor
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桥式整流器 6A,50V,GP INLINE BRIDGE RECTIFIER
2,000:¥3.7064
2,500:¥3.3448
5,000:¥3.277
10,000:¥3.0058
25,000:¥2.8928
参考库存:28017
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