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分立半导体
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STP16N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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数量单价合计
1
¥18.8258
18.8258
10
¥15.9782
159.782
100
¥12.7577
1275.77
500
¥11.2209
5610.45
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
360 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
19.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
STP16N65M2
商标
STMicroelectronics
下降时间
11.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.2 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
11.3 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STP16N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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JANTXV1N6631US/TR
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分立半导体
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JANTX1N3023CUR-1
Microsemi
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100:¥249.8091
250:¥229.2092
参考库存:29131
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