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分立半导体
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STGW25H120DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
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数量单价合计
1
¥60.3194
60.3194
10
¥54.4773
544.773
25
¥51.9461
1298.6525
100
¥45.1096
4510.96
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW25H120DF2
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
25 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STGW25H120DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1SMB5930 R5
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 3W,16V,5%,ZENER,SMB
1:¥4.7686
10:¥2.7685
100:¥2.2035
500:¥1.3108
850:¥0.97632
参考库存:26500
1N4748A R0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 1W, 22V, 5% ZENER DIODE
1:¥4.3844
10:¥3.1527
100:¥1.8419
1,000:¥0.77631
5,000:¥0.67574
参考库存:26503
1SMB5928HR5
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 3W,13V,5%,ZENER,SMB
1:¥4.7686
10:¥2.7685
100:¥2.2035
500:¥1.3108
850:¥0.97632
参考库存:26506
SS39 R6G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3A,90V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥4.6104
10:¥3.842
25:¥3.3787
100:¥2.8928
3,000:¥1.4577
6,000:查看
参考库存:26509
SB520ET-G
Comchip Technology
分立半导体
肖特基二极管与整流器
1:¥5.2206
10:¥4.0002
100:¥2.8024
1,200:¥2.0679
2,400:¥1.7402
参考库存:26512
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