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分立半导体
STGWT30V60F参考图片

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STGWT30V60F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 30A Hi Spd TrenchGate FieldStop
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数量单价合计
1
¥23.9786
23.9786
10
¥20.3626
203.626
100
¥17.6732
1767.32
250
¥16.7466
4186.65
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT30V60F
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格，STGWT30V60F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPW60R125CPFKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP
1:¥48.8725
10:¥41.4936
100:¥35.9566
250:¥34.1147
500:¥30.6569
参考库存:26617
IPW65R070C6FKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 700V 53.5A TO247-3 CoolMOS C6
1:¥73.224
10:¥66.1615
25:¥63.0879
100:¥54.7824
参考库存:26620
1N5539B
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥35.0413
10:¥28.1257
100:¥25.6623
250:¥23.1311
参考库存:26623
VS-ST230S12P0V
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 1200 Volt 230 Amp
1:¥1,049.1711
5:¥1,028.5825
10:¥980.6366
25:¥960.0367
参考库存:26626
RB150M-30TR
ROHM Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY
1:¥4.4522
10:¥3.6612
100:¥2.2374
1,000:¥1.7289
3,000:¥1.4803
参考库存:26629
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