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分立半导体
STP24NM60N参考图片

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STP24NM60N

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
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数量单价合计
1
¥21.5152
21.5152
10
¥18.2834
182.834
100
¥14.5996
1459.96
500
¥12.8368
6418.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
168 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
46 nC
Pd-功率耗散
120 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STP24NM60N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
37 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP24NM60N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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