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分立半导体
TGF2955参考图片

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TGF2955

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 40W 32V GaN P3dB @ 3GHz 46.5dBm
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
19.2 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
输出功率
46.4 dBm
最大漏极/栅极电压
100 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
41 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
15 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
商标
Qorvo
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
零件号别名
1112260
商品其它信息
优势价格,TGF2955的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
1:¥8.9157
10:¥7.6727
100:¥5.8986
500:¥5.198
1,000:¥4.1132
参考库存:16750
分立半导体
整流器 30A 600V 27ns Hyperfast
1:¥46.5673
10:¥38.5782
100:¥31.8095
250:¥30.8151
500:¥27.6624
参考库存:4204
分立半导体
MOSFET 20 Volt 14 Amp 3.0W
1:¥20.5208
10:¥17.063
100:¥13.221
500:¥11.526
1,000:¥9.5259
2,500:¥9.5259
参考库存:11176
分立半导体
MOSFET N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH
1:¥10.5316
10:¥8.9948
100:¥6.9495
500:¥6.1359
2,500:¥4.294
10,000:查看
参考库存:7655
分立半导体
MOSFET MOSFT 200V 2.5A 170mOhm 26nC
1:¥11.8311
10:¥10.1474
100:¥7.7631
500:¥6.8817
1,000:¥5.4353
4,000:¥5.4353
参考库存:7814
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