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分立半导体

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RMP8N60TI

  • Rectron
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  • MOSFET TO-220F MOSFET
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数量单价合计
2,000
¥3.1301
6260.2
4,000
¥2.8702
11480.8
10,000
¥2.6103
26103
24,000
¥2.5764
61833.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Rectron
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220F-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
48 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Rectron
正向跨导 - 最小值
7 S
下降时间
85 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
80 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
35 ns
商品其它信息
优势价格,RMP8N60TI的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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250:¥35.6515
500:¥32.4988
1,000:¥28.4308
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