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分立半导体
CGHV50200F参考图片

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CGHV50200F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
11.5 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
17 A
输出功率
180 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
4402015
封装
Tray
工作频率
4.4 GHz to 5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
开发套件
CGHV50200F-AMP
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
40
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.4 V
商品其它信息
优势价格,CGHV50200F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 15A,35V,DUAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥8.0682
10:¥7.1416
25:¥6.4523
100:¥5.6387
800:¥4.3844
参考库存:20630
分立半导体
整流器 4A SUPER FAST RECOVERY RECTIFIER
1,200:¥2.3278
2,400:¥2.1131
4,800:¥1.9662
9,600:¥1.9323
参考库存:20633
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP 50V 100MA
1:¥3.1527
10:¥2.3504
100:¥1.2769
1,000:¥0.9605
3,000:¥0.82264
参考库存:20636
分立半导体
桥式整流器 10A, 100V, G.P., INLINE BRIDGE RECTIFIER
1:¥11.6051
10:¥10.5994
100:¥8.2264
500:¥6.0794
1,000:¥4.4974
2,000:¥4.3957
参考库存:20639
分立半导体
肖特基二极管与整流器 15A,60V,DUAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥8.0682
10:¥7.1416
25:¥6.4523
100:¥5.6387
800:¥3.4578
2,400:查看
参考库存:20642
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