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分立半导体
STGWT80H65FB参考图片

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STGWT80H65FB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
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数量单价合计
1
¥83.8347
83.8347
10
¥77.066
770.66
25
¥73.9246
1848.115
100
¥65.088
6508.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
469 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT80H65FB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,STGWT80H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 100Vrm 71Vr 150mA 4.0A 100mW 1.5pF
1:¥1.5368
10:¥1.2543
100:¥0.44522
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.22261
参考库存:157072
分立半导体
整流器 60A 200V Single Die 3 pins
1:¥54.1722
10:¥48.7934
25:¥44.409
100:¥40.115
参考库存:2652
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30 Volt 200mA 200mW
1:¥2.147
10:¥2.0001
100:¥1.11418
1,000:¥0.4068
2,500:¥0.3616
参考库存:10942
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Diode Single
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1809
1,000:¥1.6385
2,500:¥1.4012
8,000:¥1.4012
参考库存:9701
分立半导体
整流器 Turbo 2 Ultrafast HV 5A IF 600V 1.5V 40ns
1:¥21.6734
10:¥18.4416
100:¥14.7578
500:¥12.9046
1,000:¥10.6785
3,000:¥9.9101
参考库存:2399
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