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分立半导体
RM2N650IP参考图片

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RM2N650IP

  • Rectron
  • 新批次
  • MOSFET TO-251 MOSFET
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库存:49,878(价格仅供参考)
数量单价合计
2,400
¥3.1753
7620.72
3,200
¥2.7233
8714.56
5,600
¥2.486
13921.6
10,400
¥2.2713
23621.52
25,600
¥2.2261
56988.16
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Rectron
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
23 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Rectron
正向跨导 - 最小值
2 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
6 ns
商品其它信息
优势价格,RM2N650IP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥6.3054
10:¥5.4353
100:¥4.1697
500:¥3.6838
1,000:¥2.9154
参考库存:2192
分立半导体
稳压二极管 6.2 Volt 1 Watt 10%
1:¥4.4522
10:¥2.5764
100:¥1.5029
500:¥1.2204
5,000:¥0.77631
10,000:查看
参考库存:7683
分立半导体
MOSFET DUAL N-CH EH MODE 20V 45mOhm 4.5A
1:¥3.842
10:¥2.9832
100:¥1.6159
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.04525
9,000:¥0.97632
参考库存:4159
分立半导体
达林顿晶体管 NPN Power Darlington
1:¥7.7631
10:¥6.6331
100:¥5.0963
500:¥4.4974
参考库存:3153
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥1.8871
100:¥0.81473
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:7622
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