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分立半导体
CGHV96050F1参考图片

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CGHV96050F1

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
16 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
6 A
输出功率
80 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440210
封装
Tray
应用
-
配置
Single
高度
5.03 mm
长度
17.55 mm
工作频率
7.9 GHz to 9.6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
24.26 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
CGHV96050F1-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGHV96050F1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RS2MAHR2G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1.5A, 1000V, FAST Rec. SMA RECTIFIER
15,000:¥0.91417
参考库存:18887
TSP15U120S
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diode, Low VF Trench Schottky, 15A, 120V
6,000:¥2.8476
参考库存:18890
HS1BLHRQG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A, 100V, SUPER FAST SM RECTIFIER
20,000:¥0.5537
50,000:¥0.49155
100,000:¥0.45313
参考库存:18893
TSM060N03PQ33 RGG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
MOSFET 30V, 60A, Single N-Channel Power MOSFET
10,000:¥1.5707
20,000:¥1.5142
参考库存:18896
TSM9434CS RLG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
MOSFET MOSFET, Single P-Ch, -20V, -6.4A
5,000:¥2.5312
10,000:¥2.4973
25,000:¥2.4408
参考库存:18899
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