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分立半导体
STP13NM60N参考图片

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STP13NM60N

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh
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库存：2,501(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.1257
28.1257
10
¥23.8995
238.995
100
¥20.7468
2074.68
250
¥19.6733
4918.325
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
360 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
90 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STP13NM60N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
3 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STP13NM60N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPD50N04S3-09
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
1:¥7.1416
10:¥6.0681
100:¥4.6556
500:¥4.1132
2,500:¥2.8815
10,000:查看
参考库存:7943
FS25R12YT3
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 40A
20:¥437.6038
40:¥423.5466
60:¥423.4675
100:¥392.4264
参考库存:36091
GBU607
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分立半导体
桥式整流器 6A 1000V
1,000:¥3.277
2,000:¥2.9719
参考库存:36094
1SS405(TPH3,F)
Toshiba
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Vr=20V Io=0.05A 2Pin
暂无价格
参考库存:36097
IKD10N60RAATMA2
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
2,500:¥6.8591
5,000:¥6.6105
10,000:¥6.3506
参考库存:36100
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