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分立半导体
CGHV35150F参考图片

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CGHV35150F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
13.3 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
12 A
输出功率
170 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440193
封装
Tube
应用
-
配置
Single
高度
-
长度
-
工作频率
3.1 GHz to 3.5 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
-
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
CGHV35150-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGHV35150F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TK1K9A60F,S4X
Toshiba
分立半导体
MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 30W 490pF 3.7A
1:¥6.9947
10:¥5.5935
100:¥4.3053
500:¥3.8081
参考库存:3336
DST10100S-A
Littelfuse
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10A 100V TO-277B
1:¥7.7631
10:¥6.2376
100:¥4.7912
500:¥4.2375
1,000:¥3.3448
5,000:¥3.3448
参考库存:11526
PHPT61010NY
Nexperia
分立半导体
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
1,500:¥1.7628
参考库存:5111
KDZLVTFTR100
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 94-106Vz(V) 2Iz(mA) AEC-Q101 Qualified
1:¥3.842
10:¥2.9267
100:¥1.5933
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.02943
参考库存:7300
Q4008L5TP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 400V 8A 50-50-50mA
1:¥15.2098
10:¥12.2153
100:¥9.831
500:¥8.6106
1,000:¥7.0964
参考库存:3316
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