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分立半导体

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STGB10H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed
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数量单价合计
1
¥17.5941
17.5941
10
¥14.9838
149.838
100
¥11.9893
1198.93
500
¥10.4525
5226.25
1,000
¥8.6784
8678.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
115 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB10H60DF
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，STGB10H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFBF20STRLPBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp
1:¥22.5096
10:¥20.3626
100:¥16.3624
500:¥13.447
800:¥11.1418
参考库存:5259
2N6405G
Littelfuse
分立半导体
SCR 800V 16A
1:¥12.4526
10:¥9.9892
100:¥7.6501
500:¥6.7574
参考库存:4693
V30100SG-E3/4W
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30 Amp 100 Volt Single TrenchMOS
1:¥10.6785
10:¥8.8366
100:¥6.7348
500:¥5.7856
1,000:¥5.0737
参考库存:5178
VS-150UR120D
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1200 Volt 150 Amp
1:¥212.6208
5:¥203.0836
10:¥196.7104
25:¥180.80
参考库存:4471
BZT52C30-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 500mW 30V Zener AEC-Q101 Qualified
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
参考库存:8545
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