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分立半导体
STP185N55F3参考图片

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STP185N55F3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 55V 3.5m Mosfet
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库存:2,201(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥46.9515
46.9515
10
¥39.8777
398.777
100
¥34.578
3457.8
250
¥32.8152
8203.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
330 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Tube
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
STP185N55F3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
150 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
110 ns
典型接通延迟时间
25 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP185N55F3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 600V 25A REV Leads Std. Recovery
1:¥60.8618
10:¥54.7824
25:¥49.946
100:¥45.1096
参考库存:1508
分立半导体
MOSFET SMD-Small Signal P-Channel Mosfet
1:¥5.537
10:¥4.7686
100:¥3.3109
1,000:¥2.4634
3,000:¥2.0792
参考库存:3209
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
1,000:¥6.8817
参考库存:2315
分立半导体
肖特基二极管与整流器 6.0 Amp 30 Volt
1:¥15.5262
10:¥14.0572
100:¥12.1362
500:¥10.8367
1,000:¥10.1474
参考库存:2318
分立半导体
IGBT 晶体管 1250V 20A Shorted Anode IGBT
1:¥20.4417
10:¥17.3681
100:¥15.0629
250:¥14.2945
参考库存:1335
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