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分立半导体
STGW60H65DFB参考图片

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STGW60H65DFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 60A trench gate field-stop IGBT
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库存:1,691(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.42
38.42
10
¥32.657
326.57
100
¥28.2726
2827.26
250
¥26.8149
6703.725
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW60H65DFB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW60H65DFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 45V 300A Schottky Recovery
1:¥580.8313
5:¥569.6104
10:¥545.564
25:¥520.9752
参考库存:2466
分立半导体
稳压二极管 350mW Zener Diode 5.32V to 5.88V
1:¥4.4522
10:¥2.5199
100:¥1.08367
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.63054
参考库存:13119
分立半导体
稳压二极管 4.7 Volt 200mW 5%
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥1.02943
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.28476
参考库存:5705
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 200mA 75V
1:¥1.8419
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
8,000:¥0.22261
24,000:查看
参考库存:27629
分立半导体
IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz
1:¥68.3876
10:¥61.7771
25:¥58.9408
100:¥51.1777
参考库存:4164
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