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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SO-8FL
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Id-连续漏极电流	87 A
Rds On-漏源导通电阻	3.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	18 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	55 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
资格	AEC-Q101
封装	Reel
系列	NVMFS5C456NL
晶体管类型	Single N-Channel Power MOSFET
商标	ON Semiconductor
下降时间	4 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	100 ns
工厂包装数量	5000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	17 ns
典型接通延迟时间	9.3 ns

商品其它信息

优势价格，NVMFS5C456NLWFAFT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CDBA140-G	Comchip Technology	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODE 1A, 40V	1:¥2.7685 10:¥1.7854 100:¥0.80682 1,000:¥0.50737 5,000:¥0.3842	参考库存:75763
SM4007PL-TP	Micro Commercial Components (MCC)	分立半导体	PDF数据手册	整流器 1A, 1000V 1A, 1000V	1:¥4.1471 10:¥2.3278 100:¥1.2543 500:¥0.99892 2,500:¥0.58421 10,000:查看	参考库存:51139
TK3R1P04PL,RQ	Toshiba	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 40V 4670pF 60nC 130A 87W	1:¥10.3734 10:¥8.2942 100:¥6.3506 500:¥5.6048 2,500:¥3.9211 10,000:查看	参考库存:4003
GBU10G	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	桥式整流器 400V 10A Bridge Rectifier	1:¥10.6785 10:¥9.379 25:¥8.4524 100:¥7.458	参考库存:3825
IGW50N60TPXKSA1	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.	1:¥34.8831 10:¥29.6625 100:¥25.6623 250:¥24.3628 500:¥21.8203	参考库存:2615