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分立半导体

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FS150R17KE3G

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数量单价合计
4
¥2,771.1555
11084.622
8
¥2,604.1076
20832.8608
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
240 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.05 kW
封装 / 箱体
EconoPACK+
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
162 mm
宽度
150 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
4
子类别
IGBTs
零件号别名
FS150R17KE3GBOSA1 SP000101750
商品其它信息
优势价格，FS150R17KE3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N6144
Semtech
分立半导体
稳压二极管 T MET BI 1500W 9.1V
250:¥100.0502
500:¥89.0553
1,000:¥85.8348
参考库存:54231
UH1PB-M3/84A
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 1A,100V,25NS,Planar FER RECT,SMD
1:¥4.1471
10:¥2.3843
100:¥1.3899
500:¥1.13
3,000:¥0.76049
6,000:查看
参考库存:54234
Q2008NH4TP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 200V 8A 25-25-25mA
1:¥14.3736
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
参考库存:54237
T2480N26TOF VT
Infineon Technologies
分立半导体
SCR PCT 2600V 2490A
1:¥5,066.4454
5:¥4,761.0855
参考库存:54240
MMRF5017HS-1GHZ
NXP Semiconductors
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF5017HS-1GHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:54243
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