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分立半导体
NX3008PBK,215参考图片

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NX3008PBK,215

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET 30V 230 MA P-CH TRENCH MOSFET
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库存:64,986(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.3843
2.3843
10
¥1.582
15.82
100
¥0.66105
66.105
1,000
¥0.45313
453.13
3,000
¥0.35369
1061.07
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
230 mA
Rds On-漏源导通电阻
4.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
0.55 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
420 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel Trench MOSFET
商标
Nexperia
下降时间
38 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
25 mg
商品其它信息
优势价格,NX3008PBK,215的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥220.0675
5:¥217.8414
10:¥203.0158
25:¥193.8628
参考库存:24772
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1:¥315.8124
5:¥307.4391
10:¥295.5289
参考库存:24775
分立半导体
SCR模块 HIGH POWER THYR / DIO
1:¥11,310.622
参考库存:24778
分立半导体
MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
3,000:¥6.2263
6,000:查看
参考库存:24781
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - SiC
1:¥1,844.6233
5:¥1,799.1295
10:¥1,755.8731
25:¥1,692.0168
参考库存:24784
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