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分立半导体
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2N2907

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon
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数量单价合计
1
¥17.063
17.063
10
¥15.2098
152.098
100
¥12.1362
1213.62
500
¥10.5994
5299.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-18
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
最大直流电集电极电流
0.6 A
增益带宽产品fT
200 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N2907
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
0.45 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
35
Pd-功率耗散
400 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
2N2907 PBFREE
商品其它信息
优势价格，2N2907的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZT55C51
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 51 Volt 500mW 5%
10,000:¥0.22261
25,000:¥0.2147
50,000:¥0.18419
100,000:¥0.16159
参考库存:33704
UMZ30KFHTL
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 RECOMMENDED ALT 755-EDZVFHT2R30B
3,000:¥0.3842
参考库存:33707
PD57070S-E
STMicroelectronics
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
400:¥394.3474
参考库存:33710
BZV55C3V9
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 3.9 Volt 500mW 5%
10,000:¥0.1921
25,000:¥0.18419
50,000:¥0.15368
100,000:¥0.13786
参考库存:33713
GBPC4004
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 40A 400V
200:¥18.2834
参考库存:33716
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