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分立半导体
PSMN2R0-30PL,127参考图片

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PSMN2R0-30PL,127

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 30V 2.1 mOhm Logic Level MOSFET
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数量单价合计
1
¥11.6842
11.6842
10
¥9.9892
99.892
100
¥7.6388
763.88
500
¥6.7574
3378.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
117 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
211 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Nexperia
下降时间
59 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
125 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
111 ns
典型接通延迟时间
63 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，PSMN2R0-30PL,127的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SISS23DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥6.6896
10:¥5.3675
100:¥4.068
500:¥3.3674
3,000:¥3.3674
参考库存:39370
DMP2104V-7
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET -20V -860mA
1:¥3.2318
10:¥2.5086
100:¥1.356
1,000:¥1.02152
3,000:¥0.87575
9,000:¥0.82264
参考库存:5927
SI7772DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥6.2263
10:¥5.0285
100:¥3.8194
500:¥3.1527
3,000:¥3.1527
参考库存:8313
SPD09P06PL G
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET P-Ch -60V 9.7A DPAK-2
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.3391
参考库存:7955
BD136
STMicroelectronics
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Audio Amplfier
1:¥3.6838
10:¥2.8476
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
参考库存:6621
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