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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Texas Instruments
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	VSONP-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Id-连续漏极电流	73 A
Rds On-漏源导通电阻	10.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	900 mV
Vgs - 栅极-源极电压	8 V
Qg-栅极电荷	4 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	3 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
商标名	NexFET
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1 mm
长度	6 mm
系列	CSD17307Q5A
晶体管类型	1 N-Channel
宽度	4.9 mm
商标	Texas Instruments
正向跨导 - 最小值	66 S
开发套件	TPS51123EVM-399, TPS40195EVM-001, TPS51116EVM-001, TPS51125EVM, TPS51220EVM
下降时间	2.6 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	6.7 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	9.3 ns
典型接通延迟时间	4.6 ns
单位重量	100 mg

商品其它信息

优势价格，CSD17307Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
1SMB5942 R4	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 51 Volt 3 Watt 5%	1:¥4.7686 10:¥2.7685 100:¥2.2035 500:¥1.3108 1,000:¥0.97632 3,000:¥0.87575	参考库存:27413
HER155G-T A0G	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	整流器 Diode High Efficient 1.5A, 400V, 50ns	1:¥4.0002 10:¥2.3843 100:¥1.6724 500:¥0.95259 1,500:¥0.61472 9,000:查看	参考库存:27416
S2KA R3G	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	整流器 1.5A, 800V, GLASS PASSIVATED SMA RECTIFIER	1:¥4.4522 10:¥4.068 100:¥2.6329 1,000:¥0.88366 1,800:¥0.72998	参考库存:27419
D2SB80HD2	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	桥式整流器 1.5A, 800V, GLASS PASSIVATED IN LINE BRIDGE IFSM 80A	1:¥4.9155 10:¥4.5313 100:¥3.4917 500:¥2.5877	参考库存:27422
SK26A E3G	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 2A,60V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER	1:¥4.3053 10:¥3.0736 100:¥2.0114 500:¥1.1865 1,800:¥0.79891 9,000:查看	参考库存:27425