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分立半导体
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MJ11016G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 30A 120V Bipolar Power NPN
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数量单价合计
1
¥52.8614
52.8614
10
¥47.799
477.99
50
¥45.5616
2278.08
100
¥39.5726
3957.26
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
120 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
120 V
最大直流电集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
200 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-204-2 (TO-3)
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJ11016
封装
Tray
高度
8.51 mm
长度
39.37 mm
宽度
26.67 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
30 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
200, 1000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
单位重量
11.793 g
商品其它信息
优势价格，MJ11016G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PD85025-E
STMicroelectronics
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥220.0675
5:¥217.8414
10:¥203.0158
25:¥193.8628
参考库存:24772
VS-VSKDS208/060
Vishay Semiconductors
分立半导体
分立半导体模块 100 Amp 60 Volt 15000 Amp IFSM
1:¥315.8124
5:¥307.4391
10:¥295.5289
参考库存:24775
T1601N36TOFXPSA1
Infineon Technologies
分立半导体
SCR模块 HIGH POWER THYR / DIO
1:¥11,310.622
参考库存:24778
FDMS3668S
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
3,000:¥6.2263
6,000:查看
参考库存:24781
APTMC120AM55CT1AG
Microsemi
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - SiC
1:¥1,844.6233
5:¥1,799.1295
10:¥1,755.8731
25:¥1,692.0168
参考库存:24784
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