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分立半导体
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IRFR320PBF

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
400 V
Id-连续漏极电流
3.1 A
Rds On-漏源导通电阻
1.8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
42 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
IRFR/U
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1.7 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N4454-B
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