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分立半导体
MMDT3946-7-F参考图片

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MMDT3946-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40 / 40V 200mW
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1
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3.4578
10
¥2.2261
22.261
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.5537
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
晶体管极性
NPN, PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.3 V
最大直流电集电极电流
0.2 A
增益带宽产品fT
300 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MMDT39
直流电流增益 hFE 最大值
300
高度
1 mm
长度
2.2 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.35 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
0.2 A
Pd-功率耗散
200 mW (1/5 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格，MMDT3946-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVMFS4C302NT1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO
1:¥11.2209
10:¥9.605
100:¥7.3337
500:¥6.4862
1,500:¥4.5426
9,000:查看
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VS-30WQ03FNTRL-M3
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CZRUR52C2V4
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分立半导体
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10:¥2.0679
100:¥0.92999
1,000:¥0.59212
4,000:¥0.44522
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VS-41HFR80
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 800 Volt 40 Amp
1:¥90.1288
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50:¥73.9246
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TK11A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
分立半导体
MOSFET N-Ch 500V FET Vgss 30V 45W .45 ohm
1:¥16.9839
10:¥13.673
100:¥10.9836
500:¥9.605
参考库存:40781
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