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分立半导体
SK8603140L参考图片

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SK8603140L

  • Panasonic
  • 新批次
  • MOSFET 30V N-ch Power MOSFET 6.15x5.1mm
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库存:6,510(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.1419
13.1419
10
¥11.9102
119.102
100
¥9.7632
976.32
500
¥7.7631
3881.55
1,000
¥6.5992
6599.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Panasonic
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
46 A
Rds On-漏源导通电阻
1.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Qg-栅极电荷
37 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SK8
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Panasonic
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
18 ns
商品其它信息
优势价格,SK8603140L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP+PNP SOT-363 4.7kO Input Resist
1:¥2.6894
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:6068
分立半导体
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
1:¥33.2672
10:¥28.2726
100:¥24.5097
250:¥23.278
参考库存:3314
分立半导体
整流器 Fast Recovery Epitaxial Diode - DQ
1:¥41.7196
10:¥33.5045
25:¥32.883
100:¥30.51
参考库存:3202
分立半导体
MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:3655
分立半导体
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms
1:¥30.8942
10:¥26.2047
100:¥22.7469
250:¥21.5943
参考库存:3166
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