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分立半导体
IRFD120PBF参考图片

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IRFD120PBF

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET HEXDI
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库存:10,512(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥5.5822
55.822
100
¥4.2827
428.27
500
¥3.6838
1841.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
HVMDIP-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
1.3 A
Rds On-漏源导通电阻
270 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
1.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
3.37 mm
长度
6.29 mm
系列
IRFD
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
0.8 S
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
6.8 ns
商品其它信息
优势价格,IRFD120PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
1:¥6.3732
10:¥5.4918
100:¥4.2149
500:¥3.729
1,000:¥2.938
参考库存:5220
分立半导体
MOSFET Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA
1:¥2.8476
10:¥1.9323
100:¥0.80682
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.43053
参考库存:23982
分立半导体
MOSFET N Ch 100V 0.019Ohm 80A
1:¥18.6676
10:¥15.8313
100:¥12.6786
500:¥11.0627
1,000:¥9.1417
参考库存:3305
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 SS SWCH DIO SPCL
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:20573
分立半导体
整流器 HIGH VOLTAGE
1:¥11.9102
10:¥10.1474
100:¥8.1473
500:¥7.0738
800:¥5.8647
参考库存:3710
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