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分立半导体
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FQP22N30

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数量单价合计
1
¥20.2044
20.2044
10
¥17.1308
171.308
100
¥13.7521
1375.21
500
¥11.9893
5994.65
1,000
¥9.9101
9910.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
300 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
160 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
170 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP22N30
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
16 S
下降时间
100 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
230 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
FQP22N30_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MADP-007167-0287DT
MACOM
分立半导体
PIN 二极管 Ls = 1.4nH SOT-23 Single Cp=.12pF
3,000:¥4.294
9,000:¥4.1358
参考库存:26991
NTMFS4C06NBT3G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM
5,000:¥1.9097
10,000:¥1.8419
25,000:¥1.7628
50,000:¥1.7402
参考库存:26994
BYV29D-600PJ
WeEn Semiconductors
分立半导体
整流器 BYV29D-600PJ/TO252/REEL 13\" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
7,500:¥1.5594
10,000:¥1.5029
25,000:¥1.4464
50,000:¥1.4238
参考库存:26997
VS-ETU3006-1HM3
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 30 Amp 600 Volt
1,000:¥16.9048
3,000:¥16.0573
5,000:¥15.4471
参考库存:27000
SIR624DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
6,000:¥3.5482
12,000:¥3.4239
24,000:¥3.3109
参考库存:27003
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