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分立半导体
IRFD9120PBF参考图片

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IRFD9120PBF

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET
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数量单价合计
1
¥8.6106
8.6106
10
¥7.6501
76.501
100
¥6.0455
604.55
500
¥4.6895
2344.75
1,000
¥3.7064
3706.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
HVMDIP-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
1 A
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
1.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
3.37 mm
长度
6.29 mm
系列
IRFD
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
0.71 S
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
29 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
9.6 ns
商品其它信息
优势价格,IRFD9120PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥4.0002
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10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
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10:¥2.147
100:¥1.1639
1,000:¥0.87575
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10:¥5.0624
100:¥3.842
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1:¥4.0002
10:¥3.0623
100:¥2.2713
500:¥1.8645
1,800:¥1.3108
3,600:查看
参考库存:10864
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