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分立半导体
IRFU9024PBF参考图片

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IRFU9024PBF

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp
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库存:5,952(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.4469
11.4469
10
¥9.1417
91.417
100
¥7.9891
798.91
500
¥6.2037
3101.85
1,000
¥4.9042
4904.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
8.8 A
Rds On-漏源导通电阻
280 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
42 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
6.22 mm
长度
6.73 mm
系列
IRFR/U
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
2.39 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
2.9 S
下降时间
29 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
68 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,IRFU9024PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥8.8366
10:¥7.5823
100:¥5.8195
500:¥5.1528
5,000:¥3.6047
10,000:查看
参考库存:8244
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥372.7531
2:¥362.6057
5:¥352.5374
10:¥342.4804
参考库存:4181
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1200V 10A TO-247-3L SiC Schottky Diode
1:¥89.7446
10:¥80.7611
25:¥73.5404
100:¥66.3875
参考库存:4664
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219-HE3
1:¥3.3787
10:¥2.5877
100:¥1.921
500:¥1.5707
3,000:¥1.11418
6,000:查看
参考库存:27930
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1200V 5A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
1:¥47.8668
10:¥43.2564
25:¥41.2676
100:¥35.8097
1,000:¥27.12
参考库存:5050
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