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分立半导体
SI2309CDS-T1-E3参考图片

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SI2309CDS-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -60V Vds 20V Vgs SOT-23
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数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.4747
247.47
500
¥2.034
1017
3,000
¥1.4238
4271.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
1.6 A
Rds On-漏源导通电阻
345 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
1 V
Qg-栅极电荷
4.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
2.8 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
SI2309CDS-E3
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，SI2309CDS-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSZL52C5V6 RW
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 5.6 Volt 200mW 5%
20,000:¥0.34578
24,000:¥0.32996
48,000:¥0.30736
100,000:¥0.26894
参考库存:37174
CMPSH-3 BK
Central Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diode Schottky
3,500:¥1.5594
10,500:¥1.5029
24,500:¥1.4464
45,500:¥1.4238
参考库存:29690
ES1H F2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A, 500V, SUPER FAST SM RECTIFIER
15,000:¥0.76049
22,500:¥0.68365
45,000:¥0.60681
97,500:¥0.50737
参考库存:37179
MBRH200200(R)
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 200(A)Schottky Diode Module
50:¥350.2322
100:¥345.6218
250:¥326.2649
参考库存:37182
GBU20M
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
桥式整流器
2,500:¥5.0963
5,000:¥4.9155
参考库存:37185
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