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分立半导体
IRFB9N60APBF参考图片

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IRFB9N60APBF

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
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库存:4,346(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.3682
19.3682
10
¥16.1364
161.364
100
¥12.5204
1252.04
500
¥10.9158
5457.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
9.2 A
Rds On-漏源导通电阻
750 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
49 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
170 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
IRFB
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
5.5 S
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRFB9N60APBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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10:¥1.1413
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1:¥5.2997
10:¥4.0228
100:¥2.9945
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1,500:¥1.7289
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10:¥1.8532
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4,500:¥0.40002
9,000:查看
参考库存:15565
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