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分立半导体
BUK78150-55A/CUX参考图片

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BUK78150-55A/CUX

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
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库存:48,270(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.486
24.86
100
¥1.356
135.6
1,000
¥1.01474
1014.74
2,000
¥0.87575
1751.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
5.5 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Nexperia
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8 ns
典型接通延迟时间
3 ns
单位重量
260 mg
商品其它信息
优势价格,BUK78150-55A/CUX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥301.1337
5:¥294.4554
10:¥281.0084
25:¥269.2451
参考库存:2640
分立半导体
IGBT 模块
1:¥1,910.4684
5:¥1,864.4435
10:¥1,818.1926
25:¥1,792.6772
参考库存:2572
分立半导体
MOSFET 60V Vds TrenchFET TO-220AB
1:¥22.4418
10:¥18.5998
100:¥15.2889
250:¥14.8256
500:¥13.2888
参考库存:3350
分立半导体
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥25.2781
10:¥21.5152
100:¥18.5998
250:¥17.6732
500:¥15.8313
参考库存:2784
分立半导体
MOSFET MOS Discretes WLCSP
1:¥3.2318
10:¥2.4295
100:¥1.3221
1,000:¥0.99101
参考库存:5179
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