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分立半导体
IRFP31N50LPBF参考图片

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IRFP31N50LPBF

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
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库存:3,118(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥55.3248
55.3248
10
¥45.7198
457.198
100
¥41.4145
4141.45
500
¥35.0413
17520.65
1,000
¥30.736
30736
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
31 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
210 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
460 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
IRFP
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.31 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
15 S
下降时间
53 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
115 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
54 ns
典型接通延迟时间
28 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRFP31N50LPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 40A 1KV FS TO247
1:¥46.6464
10:¥38.646
100:¥31.8095
250:¥30.8151
500:¥27.6624
参考库存:5296
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2X10 Amp 150 Volt
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9495
500:¥6.1359
参考库存:15111
分立半导体
MOSFET 30V PowerTrench
1:¥17.3681
10:¥14.7578
100:¥11.8311
500:¥10.3734
1,000:¥8.6106
3,000:¥7.9891
参考库存:6328
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 136-941 MHz 6 W 7.5V
1:¥28.3517
10:¥24.1255
100:¥20.905
250:¥19.8202
参考库存:6735
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Barrier 30V 200mA
1:¥1.8419
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
8,000:¥0.23052
24,000:查看
参考库存:67108
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