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分立半导体
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IRF9540SPBF

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
19 A
Rds On-漏源导通电阻
200 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
61 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
IRF
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
6.2 S
下降时间
57 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
73 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格，IRF9540SPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZXTN2010ZQTA
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
参考库存:4669
BSS314PE H6327
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
1:¥3.616
10:¥2.3391
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:3984
STGF19NC60HD
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 晶体管 N-CHANNEL MFT
1:¥16.4415
10:¥13.9894
100:¥11.2209
500:¥9.7632
参考库存:4092
MMBZ5236BS-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 7.5V 200mW
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:5565
IKW40N65H5FKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥34.578
10:¥29.3574
100:¥25.4363
250:¥24.1255
500:¥21.6734
参考库存:3756
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