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分立半导体
IRLD110PBF参考图片

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IRLD110PBF

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET HEXDI
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库存:7,724(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2264
8.2264
10
¥7.3111
73.111
100
¥5.7743
577.43
500
¥4.4748
2237.4
1,000
¥3.5369
3536.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
HVMDIP-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
1 A
Rds On-漏源导通电阻
540 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
6.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
1.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1.3 S
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
9.3 ns
商品其它信息
优势价格,IRLD110PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1.0 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM
1:¥4.068
10:¥2.3165
100:¥1.243
500:¥0.99892
7,500:¥0.52206
22,500:查看
参考库存:37038
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY TAPE-7
1:¥2.9154
10:¥2.0001
100:¥0.83733
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.44522
参考库存:47724
分立半导体
肖特基二极管与整流器
100:¥99.0445
200:¥90.513
500:¥82.0606
1,000:¥75.2241
参考库存:6186
分立半导体
双向可控硅 1A 双向可控硅
1:¥4.8364
10:¥3.2431
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
2,000:¥1.4012
参考库存:7674
分立半导体
稳压二极管 8.2V 1W
1,500:¥1.11418
9,000:¥1.03734
24,000:¥0.9831
49,500:¥0.9605
99,000:¥0.92208
参考库存:51777
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