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分立半导体
HGTG30N60A4参考图片

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HGTG30N60A4

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库存:2,804(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥50.1042
50.1042
10
¥45.3356
453.356
25
¥43.1886
1079.715
100
¥37.4934
3749.34
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
Pd-功率耗散
463 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG30N60A4
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
75 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG30N60A4_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,HGTG30N60A4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 40A 1KV FS TO247
1:¥46.6464
10:¥38.646
100:¥31.8095
250:¥30.8151
500:¥27.6624
参考库存:5296
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2X10 Amp 150 Volt
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9495
500:¥6.1359
参考库存:15111
分立半导体
MOSFET 30V PowerTrench
1:¥17.3681
10:¥14.7578
100:¥11.8311
500:¥10.3734
1,000:¥8.6106
3,000:¥7.9891
参考库存:6328
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 136-941 MHz 6 W 7.5V
1:¥28.3517
10:¥24.1255
100:¥20.905
250:¥19.8202
参考库存:6735
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Barrier 30V 200mA
1:¥1.8419
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
8,000:¥0.23052
24,000:查看
参考库存:67108
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