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分立半导体
CSD16556Q5B参考图片

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CSD16556Q5B

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 25V NexFET N Ch Pwr MosFET
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库存:4,104(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.9839
16.9839
10
¥14.4414
144.414
100
¥11.526
1152.6
500
¥10.0683
5034.15
2,500
¥7.7631
19407.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
37 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.2 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD16556Q5B
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
2 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
34 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
17 ns
单位重量
134.700 mg
商品其它信息
优势价格,CSD16556Q5B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diodes - DO5 BRAZ SQR-e3
100:¥134.3118
300:¥123.2491
500:¥117.3392
参考库存:26741
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
3,000:¥0.3616
9,000:¥0.30736
24,000:¥0.29154
45,000:¥0.27685
99,000:¥0.23843
参考库存:26744
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50Vcbo 50Vcev 45Vcer 5.0Vebo 40W
90:¥106.3443
120:¥97.745
270:¥89.1344
510:¥79.3712
参考库存:26747
分立半导体
稳压二极管 150mW 6.2V Zener
3,000:¥0.41471
9,000:¥0.36838
24,000:¥0.34578
参考库存:82610
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 BISS RET
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
99,000:¥0.25312
参考库存:26752
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