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分立半导体
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CGH40006P

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
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¥346.7744
346.7744
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
13 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
0.75 A
输出功率
9 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
440109
封装
Tray
应用
-
配置
Single
高度
2.79 mm
长度
4.19 mm
工作频率
2 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
5.21 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
CGH40006P-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGH40006P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN1N752C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥74.693
105:¥74.693
200:¥68.6136
500:¥62.5455
1,000:¥54.4773
参考库存:49819
CDLL5534B/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥50.2511
142:¥50.2511
200:¥46.1831
500:¥42.1038
1,000:¥36.6572
参考库存:49822
JAN1N966CUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥83.3714
200:¥75.9925
500:¥71.1561
1,000:¥65.2349
参考库存:49825
CDLL4753/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥27.5833
258:¥27.5833
500:¥24.8148
1,000:¥20.905
2,500:¥19.8993
参考库存:49828
JANTXV1N4627-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥48.4883
297:¥48.4883
500:¥44.183
1,000:¥38.4991
参考库存:49831
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