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分立半导体
CGH40006P参考图片

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CGH40006P

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
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1
¥346.7744
346.7744
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
13 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
0.75 A
输出功率
9 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
440109
封装
Tray
应用
-
配置
Single
高度
2.79 mm
长度
4.19 mm
工作频率
2 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
5.21 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
-
开发套件
CGH40006P-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格,CGH40006P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in
1:¥3.6838
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100:¥1.7176
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14,000:¥0.82942
28,000:查看
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10:¥38.2618
100:¥33.1994
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1,000:¥23.8204
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1:¥2.7685
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
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10:¥1.2995
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1,000:¥0.36838
3,000:¥0.29154
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1:¥14.2154
10:¥12.0684
100:¥9.6841
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2,500:¥6.554
5,000:查看
参考库存:3848
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