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分立半导体
SI7619DN-T1-GE3参考图片

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SI7619DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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库存:12,682(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.1528
51.528
100
¥3.9098
390.98
500
¥3.2318
1615.9
1,000
¥2.5764
2576.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
21 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
27.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SI7
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
23 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
优势价格,SI7619DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 TO-247 Ultra Fast
1:¥45.7989
10:¥38.8833
100:¥33.7305
250:¥32.0468
500:¥28.7359
参考库存:6901
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
1:¥12.9046
10:¥10.9836
100:¥8.7575
500:¥7.684
2,500:¥5.9438
5,000:查看
参考库存:6485
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
50:¥337.3276
100:¥291.766
250:¥274.2397
参考库存:3905
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
2,500:¥6.0229
5,000:查看
参考库存:21036
分立半导体
MOSFET N-CH Mosfet 60V 150A 8DSOP
1:¥13.9894
10:¥11.30
100:¥8.9948
500:¥7.91
5,000:¥5.8421
10,000:查看
参考库存:11641
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