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分立半导体
TK46A08N1,S4X参考图片

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TK46A08N1,S4X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET NCh 6.9ohm VGS10V10uAVDS80V
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
46 A
Rds On-漏源导通电阻
6.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
37 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK46A08N1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TK46A08N1,S4X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
桥式整流器 RECT BRIDGE 25A 600V
1:¥12.1362
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
参考库存:52438
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC807L_BC807LW - 45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors
10,000:¥0.13786
30,000:¥0.13108
50,000:¥0.11526
100,000:¥0.09266
参考库存:52441
分立半导体
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥327.8808
5:¥316.8859
10:¥306.5916
25:¥283.5396
参考库存:52444
分立半导体
JFET JFET N-Channel -25V 10mA 360mW 3.27mW
309:¥23.052
500:¥20.6677
1,000:¥17.4472
2,500:¥16.5997
参考库存:52447
分立半导体
稳压二极管 BZX84W-B2V4 SC-70
10,000:¥0.20792
30,000:¥0.1921
50,000:¥0.18419
100,000:¥0.16159
参考库存:52450
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