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分立半导体
IPB60R125CP参考图片

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IPB60R125CP

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
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数量单价合计
1,000
¥23.5944
23594.4
2,000
¥22.4418
44883.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
70 nc
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
类型
600 V CoolMOS C6 Power Transistor
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
IPB60R125CPATMA1 IPB6R125CPXT SP000297368
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB60R125CP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 50V 200mW NPN/PNP resistor-equip trans
1:¥3.0736
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
8,000:¥0.39211
24,000:查看
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1:¥11.4469
10:¥9.5259
25:¥7.91
100:¥7.2207
2,000:¥4.6556
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3,000:¥1.356
9,000:¥1.2656
24,000:¥1.1978
45,000:¥1.1639
参考库存:17701
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双向可控硅 400V .8A Sensing 3-3-3-3mA
1:¥8.2942
10:¥6.7122
100:¥5.1528
500:¥4.5539
1,000:¥3.5934
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1:¥3.6838
10:¥2.8024
100:¥2.0792
500:¥1.7063
10,000:¥1.04525
20,000:查看
参考库存:17707
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